Historien om LED-utveckling
Upptäckten av halvledar-PN-övergångsluminescens kan spåras tillbaka till 1920-talet. Den franske forskaren OWLossow observerade först detta luminescensfenomen när han studerade SiC-detektorer. På grund av begränsningarna av materialberedning och enhetsteknologi vid den tiden, utnyttjades denna viktiga upptäckt inte snabbt. Fram till fyrtio år senare, med framstegen inom III-V-gruppmaterial och enhetsteknologi, utvecklade människor äntligen en praktiskt värdefull GaAsP lysdiod som avger rött ljus, som massproducerades av GE som en instrumentindikator. Sedan dess, på grund av den fortsatta utvecklingen av GaAs, Gap och annan materialforskning och enhetsteknologi, har förutom djupröda lysdioder även LED-enheter inklusive orange, gul, gulgrön och andra färger dykt upp på marknaden i stort antal.
Av olika anledningar har LED-enheter som Gap och GaAsP låg ljuseffektivitet, och ljusintensiteten är vanligtvis under 10mcd, vilket endast kan användas för inomhusvisningsändamål. Även om AlGaAs-materialet kommer in i området med indirekt hopp, sjunker ljuseffektiviteten snabbt. Med utvecklingen av halvledarmaterial och enhetsteknologi, särskilt den växande mognad av epitaxiella processer som MOCVD, i början av 1990-talet, använde Nichia i Japan och Cree i USA respektive MOCVD-teknik i GaN-baserade LED-epitaxialwafers med enhetsstrukturer. framgångsrikt odlat på safir- och SiC-substrat, och blå, gröna och violett LED-enheter med hög ljusstyrka tillverkades.
Framväxten av LED-enheter med ultrahög ljusstyrka har öppnat extremt lysande utsikter för expansionen av LED-applikationsfält. Den första är att ökningen av ljusstyrkan gör att applikationen av LED-enheter flyttas från inomhus till utomhus. Även i starkt solljus kan dessa LED-rör på cd-nivå fortfarande lysa starkt och färgglatt. För närvarande har det använts i stor utsträckning i utomhus storskärmsvisning, fordonsstatusindikering, trafikljus, LCD-bakgrundsbelysning och allmän belysning. Den andra egenskapen hos ultraljusa lysdioder är förlängningen av emissionsvåglängden. Uppkomsten av InGaAlP-enheter utökar emissionsbandet till det kortvågiga gulgröna området på 570 nm, medan GaN-baserade enheter ytterligare utökar emissionsvåglängden till de gröna, blå och violetta banden. På så sätt gör LED-enheter inte bara WORLD färgstark, utan gör det också möjligt att tillverka solid-state vita ljuskällor. Jämfört med konventionella ljuskällor är LED-enheter kalla ljuskällor med lång livslängd och låg strömförbrukning. För det andra har LED-enheter också fördelarna med liten storlek, robust och hållbar, låg driftspänning, snabb respons och enkel anslutning till datorer. Statistik visar att under de senaste fem åren av 1900-talet har applikationsmarknaden för LED-produkter med hög ljusstyrka bibehållit en tillväxttakt på mer än 40 procent. Med återhämtningen av VÄRLDENS ekonomi och starten av projektet med vit belysning, tror man att produktionen och tillämpningen av LED kommer att inleda en större klimax.
